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刻蝕設備

鍍膜設備

核心組件

技術支持

TALD原子層沉積設備

發布日期:2021/4/2 0:00:00

PJ-TALD-200


設備規格

工藝溫度:溫度范圍:RT~500°C (可定制)
前驅體路數:最大支持6路前驅體氣路(可定制),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度范圍:RT~500℃

反應物路數:支持2路反應物氣路(可定制)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可定制)
壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr

標準漏率:<5x10-9Pa*m3/s 
真空系統:標準油泵

控制系統:19寸顯示器,支持觸控工業級嵌入式工控機,高可靠性,支持擴展
高溫加熱模塊:獨立的源瓶加熱模塊,可支持RT~200℃

 

控制系統

? 控制系統采用 PLC+工控機+19 寸觸摸屏方式實現,系統通過高速以太網進行通訊。

? 采用 PLC 對設備進行實時控制,支持歷史數據、工藝配方、報警及日志的儲存和導入導出的功能

? 設備支持“一鍵沉積”功能,點擊運行按鍵即可自動完成真空抽取、升溫、材料沉積、降溫等一系列步驟。實現單一或多層材料的沉積;提供獨立的手動操作頁面,支持手動開關閥門的操作,人機交互同時支持鼠標、鍵盤和觸摸的輸入方式

? 設備運行軟件提供用戶權限管理功能,可根據用戶級別設定使用權限,防止誤操作,保證設備和人身安全

? 設備運行軟件提供邏輯互鎖功能,防止用戶誤操作,并彈出信息對話框進行提示

? 設備運行軟件集成安全及參數配置、IO互鎖列表信息功能

 

工藝應用
防水汽保護層,光學鍍膜,功能型膜層(親水層,疏水層)

薄膜種類:AL2O3、SNO2、SIO2、HFO2、 ALN、TIN

晶圓尺寸:12寸以兼容



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