江蘇鵬舉半導(dǎo)體全自主研發(fā)的原子層刻蝕設(shè)備（ALE），具有成熟的真空解決方案及射頻系統(tǒng)，基于Windows平臺(tái)自主開發(fā)的操作系統(tǒng)，架構(gòu)合理，人機(jī)交互界面多種自動(dòng)流程設(shè)計(jì)，操作簡單便捷。設(shè)備具有占用空間小，耗材及運(yùn)營成本低等優(yōu)點(diǎn)。此腔體擴(kuò)展性高，兼容性高，可用于多種材質(zhì)，多種介質(zhì)刻蝕，可媲美國際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。
一、設(shè)備參數(shù)
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參數(shù)類別 |
具體參數(shù) |
指標(biāo)范圍 |
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刻蝕精度 |
單循環(huán)刻蝕速率 |
0.1–0.7 nm/cycle（通用）；Al?O?: 0.2–0.5 nm/cycle；GaN: 0.1–0.3 nm/cycle |
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等效刻蝕速率 |
>1 nm/min（通用）；Al?O?: >1.2 nm/min；GaN: 0.8–1.0 nm/min |
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表面粗糙度 |
<0.5 nm |
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均勻性 |
晶圓內(nèi)均勻性（300mm） |
±2%；；Al?O?/SiO?刻蝕±1.8% |
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片間均勻性 |
±1.5%；GaN刻蝕±1.2% |
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選擇比 |
Al?O?/Si |
>60:1 |
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GaN/AlGaN |
>30:1（精準(zhǔn)停刻控制） |
二、工藝控制參數(shù)
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控制模塊 |
關(guān)鍵參數(shù) |
可調(diào)范圍 |
控制精度 |
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反應(yīng)腔環(huán)境 |
腔室壓力 |
1–50 mTorr（P-ALE）；PEALD刻GaN專用：0.5–5 mTorr |
±0.1 Torr |
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腔室溫度 |
25–200°C； |
±1°C |
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前驅(qū)體與脈沖 |
前驅(qū)體流量 |
100–500 sccm； |
±5 sccm |
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脈沖時(shí)間 |
0.1–5 s； |
±10 ms |
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吹掃時(shí)間 |
1–10 s； |
±50 ms |
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等離子體 |
源功率 |
1–3000 W； |
±10 W |
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離子能量 |
50–500 eV； |
±2 eV |
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循環(huán)控制 |
循環(huán)數(shù) |
1–1000 cycles； |
1 cycle步進(jìn) |
三、設(shè)備核心配置
反應(yīng)腔：300mm兼容，Al?O?/Y?O?耐腐蝕內(nèi)襯，多區(qū)溫控
前驅(qū)體系統(tǒng)：多路脈沖閥，漏率<1×10?? atm·cc/s；支持Cl?、BCl?、CHF?等PEALD專用刻蝕氣體精準(zhǔn)配送
等離子體源：ICP/RIE類型，離子能量0–1000 eV可調(diào)；具有PEALD專屬低功率調(diào)節(jié)檔位（100–500 W）適配GaN刻蝕
真空系統(tǒng)：分子泵+干泵，極限真空<1×10?? Torr；
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